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Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H7-EN-V13
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H7-4-EN-V3
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H4-EN-V12
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H4-4-EN-V3
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo ORPC-817-S-(SJ)
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo ORPC-817-S-(SJ)-EN-V0Il dispositivo della serie OR-3H7-4 contiene quattro LED a infrarossi e quattro rilevatori di fototransistor. Sono incapsulati in un SOP a 16 pin, privo di alogeni e Sb2O3
Caratteristiche
(1) Serie 4N2X: 4N25, 4N26, 4N27, 4N28; Serie 4N3X: 4N35, 4N36, 4N37, 4N38
Alta tensione di isolamento tra ingresso e uscita (Viso=5000 V rms)
Distanza superficiale>7,62 mm
Temperatura di funzionamento fino a +115°C
Pacchetto compatto dual-in-line
Passaggio ESD HBM 8000 V/MM 2000 V
Approvazione di sicurezza
Approvato UL (n. E323844)
Approvato VDE(n.40029733)
Approvato CQC (n. CQC19001231480)
Conforme agli standard RoHS e REACH.
Classe MSL Ⅰ
Istruzioni
I dispositivi della serie 4N2X, 4N3X sono costituiti ciascuno da un diodo emettitore di infrarossi
accoppiato otticamente a un fototransistor. Sono confezionati in un contenitore DIP a 6 pin e disponibili con spaziatura ampia dei conduttori e opzione SMD.
Intervallo di applicazione
Regolatori di alimentazione
Ingressi logici digitali
Ingressi microprocessore
Diagramma funzionale
Valore nominale assoluto massimo (temperatura normale=25 ℃)
|
Parametro |
Simbolo |
Valore nominale |
Unità |
|
|
Ingresso |
Corrente diretta |
SE |
60 |
mA |
|
Temperatura di giunzione |
TJ |
125 |
℃ |
|
|
Tensione inversa |
VR |
6 |
V |
|
|
Dissipazione di potenza (TA = 25°C) Fattore di declassamento (sopra 100°C) |
DP |
100 |
mW |
|
|
3,8 |
mW/°C |
|||
|
Uscita |
Tensione collettore-emettitore |
VCEO |
80 |
V |
|
Tensione collettore-base |
VCBO |
80 |
||
|
Tensione emettitore-collettore |
VECO |
7 |
||
|
Tensione emettitore-base |
VEBO |
7 |
||
|
Dissipazione di potenza (TA = 25°C) Fattore di declassamento (sopra 100°C) |
PC |
150 |
mW |
|
|
9,0 |
mW/°C |
|||
|
Potenza totale consumata |
Ptot |
200 |
mW |
|
|
*1 Tensione di isolamento |
Viso |
5000 |
Vrm |
|
|
Temperatura di lavoro |
Superiore |
da -55 a + 115 |
℃ |
|
|
Temperatura del deposito |
TSTG |
da -55 a + 150 |
||
|
*2 Temperatura di saldatura |
TSOL |
260 |
||
*1. Test CA, 1 minuto, umidità = 40~60% Metodo di test di isolamento come di seguito:
*2. il tempo di saldatura è di 10 secondi.
Caratteristiche optoelettroniche
|
Parametro |
Simbolo |
Min |
Tip.* |
Massimo |
Unità |
Condizione |
||
|
Ingresso |
Tensione diretta |
VF |
--- |
1.2 |
1,5 |
V |
SE=10 mA |
|
|
Corrente inversa |
IR |
--- |
--- |
10 |
µA |
VR=6V |
||
|
Capacità del collettore |
Cin |
--- |
30 |
--- |
pF |
V=0, f=1MHz |
||
|
Uscita |
Corrente oscura base collettore |
ICBO |
--- |
--- |
20 |
nA |
VCB=10 V |
|
|
Da collettore a emettitore Corrente |
4N2X |
ICEO |
--- |
--- |
50 |
nA |
VCE=10 V, IF=0 mA |
|
|
4N3X |
--- |
--- |
50 |
VCE= 60 V, IF=0 mA |
||||
|
Tensione di attenuazione collettore-emettitore |
BVCEO |
80 |
--- |
--- |
V |
CI=1 mA |
||
|
Tensione di rottura collettore-base |
BVCBO |
80 |
CI=0,1 mA |
|||||
|
Tensione di attenuazione emettitore-collettore |
BVECO |
7 |
--- |
--- |
V |
IE=0,1 mA |
||
|
Tensione di rottura emettitore-base |
BVEBO |
7 |
IE=0,1 mA |
|||||
|
Trasformazione delle caratteristiche |
Rapporto di trasferimento corrente |
4N35, 4N36,4N37 |
CTR |
100 |
--- |
--- |
% |
SE=10 mA VCE=10 V |
|
4N25, 4N26,4N38 |
20 |
--- |
--- |
|||||
|
4N27, 4N28 |
10 |
--- |
--- |
|||||
|
Collettore ed emettitore Tensione di saturazione |
4N25, 4N26,4N27, 4N28 |
VCE(sabato) |
--- |
--- |
0,5 |
V |
SE=50mA CI=2mA |
|
|
4N35, 4N36,4N37 |
--- |
--- |
0,3 |
IF=10 mA, IC=0,5 mA |
||||
|
4N38 |
--- |
--- |
1.0 |
SE=20 mA, CI=4 mA |
||||
|
Resistenza di isolamento |
Riso |
1011 |
--- |
--- |
Ω |
500 V CC 40~60%UR. |
||
|
Capacità flottante |
Cfr. |
--- |
0,2 |
--- |
pF |
V=0, f=1MHz |
||
|
Tempo di risposta |
tri |
--- |
3 |
10 |
µs |
VCC=10 V, IC=10 mA RL=100 Ω |
||
|
Orario di discesa |
tf |
--- |
6 |
10 |
µs |
|||
Rapporto di conversione corrente = IC/IF × 100%
Informazioni sull'ordine
Numero parte
OR-4NXXU-YZ
Nota
4NXX = Codice articolo, 4N25,4N26,4N27,4N28,4N35,4N36,4N37 o 4N38.
U = Opzione modulo lead (S, M o Nessuno)
Y = Opzione nastro e bobina (TA,TA1 o nessuna).
Z = codice "V" per sicurezza VDE (questa opzione non è necessaria).
* VDE È possibile selezionare il codice.
|
Opzione |
Descrizione |
Quantità imballo |
|
Nessuno |
DIP-6 standard |
66 unità per tubo |
|
M |
Piegatura larga del cavo (spaziatura di 0,4 pollici) |
66 unità per tubo |
|
S(TA) |
Modulo cavo per montaggio superficiale (profilo basso) + opzione nastro TA e bobina |
1000 unità per bobina |
|
S(TA1) |
Modulo cavo per montaggio superficiale (profilo basso) + opzione nastro e bobina TA1 |
1000 unità per bobina |
Regola di denominazione
1. Produttore: ORIENT.
2. Numero parte: 4N25,4N26,4N27,4N28,4N35,4N36,4N37 o 4N38.
Codice anno
: '21' significa '2021' e così via.
Codice settimana
: 01 indica la prima settimana, 02 indica la seconda settimana e così via.
Codice VDE
. (Facoltativo)
Anodo.
Dimensione esterna
OR-4NXX
OR-4NXXM
OR-4NXXS
Schemi di impronta consigliati (supporto di montaggio)
unità:mm
Dimensioni della nastratura
OR-4NXXS-TA
OR-4NXXS-TA1
|
Descrizione |
Simbolo |
Dimensioni in mm (pollici) |
|
Nastro largo |
W |
16±0,3(0,63) |
|
Passo dei fori dei pignoni |
P0 |
4±0,1(0,15) |
|
Distanza del compartimento |
F |
7,5±0,1(0,295) |
|
P2 |
2±0,1(0,079) |
|
|
Distanza da scomparto a scomparto |
P1 |
12±0,1(0,472) |
|
Tipo di pacchetto |
TA/TA1 |
|
Quantità (pezzi) |
1000 |
Dimensione del pacchetto
Tipo DIP/M
|
Informazioni sull'imballaggio |
|
|
Tipo di imballaggio |
Metropolitana |
|
Quantità per tubo |
66 pezzi |
|
Dimensione scatola piccola (interna) |
525*128*60 mm |
|
Dimensione scatola grande (esterna) |
545*290*335 mm |
|
Importo per scatola interna |
3.300 pezzi |
|
Importo per scatola esterna |
33.000 pezzi |
Tipo SOP
|
Informazioni sull'imballaggio |
|
|
Tipo di imballaggio |
Tipo di bobina |
|
Larghezza nastro |
16 mm |
|
Qtà per bobina |
1.000 pezzi |
|
Dimensioni scatola piccola (interna) |
345*345*58,5 mm |
|
Dimensione scatola grande (esterna) |
620x360x360 mm |
|
Quantità massima per scatola piccola |
2.000 pezzi |
|
Quantità massima per scatola grande |
20.000 pezzi |
Esempio di etichetta di imballaggio
Nota :
Codice materiale: ID prodotto.
P/N: contenuto con "Informazioni sull'ordine" nelle specifiche.
Lotto n.: dati del prodotto.
D/C: Settimane del prodotto.
Quantità: quantità di imballaggio.
Test di affidabilità
Profilo di temperatura della saldatura
(1) Saldatura a riflusso IR (conforme a JEDEC-STD-020C)
Si consiglia una saldatura a riflusso una tantum nelle condizioni di temperatura e profilo temporale mostrate di seguito. Non saldare più di tre volte.
|
Elemento del profilo |
Condizioni |
|
Preriscaldamento
- Tempo (da min a max) (ts) |
150˚C 200˚C 90±30 secondi |
|
Zona di saldatura - Temperatura (TL) - Tempo (t L ) |
217˚C 60 secondi |
|
Temperatura di picco |
260˚C |
|
Orario della temperatura di picco |
20 secondi |
|
Tasso di accelerazione |
3˚C/sec max. |
|
Tasso di riduzione dalla temperatura di picco |
3~6˚C/sec |
|
Tempi di ridisposizione |
≤3 |
(2) Saldatura a onda (conforme a JEDEC22A111)
Si consiglia di saldare una volta in condizioni di temperatura.
|
Temperatura Ora |
260+0/-5˚C 10 secondi |
|
Temperatura di preriscaldamento Tempo di preriscaldamento |
da 25 a 140˚C da 30 a 80 secondi |
(3) Saldatura manuale con saldatore
Consenti la saldatura a conduttore singolo in ogni singolo processo. Si consiglia di saldare una volta.
Temperatura
380+0/-5˚C
Ora
3 secondi massimo
Curva caratteristiche