Accoppiatore ottico Darlington OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3

Le serie di dispositivi TIL113 e 4NXX sono costituite ciascuna da un diodo emettitore di infrarossi accoppiato otticamente a un rilevatore Darlington. Sono confezionati in un pacchetto DIP a 6 pin e disponibili con spaziatura ampia dei conduttori e opzione SMD.

Descrizione del prodotto

Accoppiatore ottico Darlington

 Accoppiatore ottico Darlington OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3

Caratteristiche

(1)  4NXX  serie:  4N29,  4N30,  4N31,  4N32,  4N33 6558} TIL113  serie :  TIL113.

(2)  Alta tensione di isolamento    tra  ingresso  e  uscita  (Viso=5000  V  rms)

(3)  Distanza di dispersione   >7,62  mm

(4)  Temperatura di funzionamento   fino a  fino a  +115°C

(5) Pacchetto compatto  doppio in linea  

(6)  Approvazione di sicurezza  

Approvato UL (n. E323844)  

Approvato VDE(n.40029733)

Approvato CQC  (No.CQC19001231480  )

(7)  In conformità   con  RoHS,  standard REACH  .

(8)  MSL  Classe Ⅰ

 

Istruzioni

I dispositivi della serie TIL113, 4NXX sono costituiti ciascuno da un diodo emettitore di infrarossi accoppiato otticamente a un rilevatore Darlington. Sono confezionati in un pacchetto DIP a 6 pin e disponibile con spaziatura ampia e opzione SMD.

Intervallo di applicazione

  1. Circuiti logici a basso consumo

  2. Apparecchiature per telecomunicazioni

  3. Elettronica portatile

  4. Interfacciamento di sistemi di accoppiamento di diversi potenziali e impedenze

 

Valore nominale assoluto massimo (temperatura normale=25℃)

Parametro

Simbolo

Valore nominale

Unità

Ingresso

Corrente diretta

SE

60

mA

Temperatura di giunzione

TJ

125

Tensione inversa

VR

6

V

Dissipazione di potenza (TA = 25°C) Fattore di declassamento (sopra 100°C)

DP

120

mW

3,8

mW/°C

Uscita

Tensione collettore-emettitore

VCEO

80

V

Tensione collettore-base

VCBO

80

Tensione emettitore-collettore

VECO

7

Tensione emettitore-base

VEBO

7

Dissipazione di potenza (TA = 25°C) Fattore di declassamento (sopra 100°C)

PC

150

mW

6,5

mW/°C

Potenza totale consumata

Ptot

200

mW

*1 Tensione di isolamento

Viso

5000

Vrm

Temperatura di lavoro

Superiore

Da -55 a + 115

Temperatura del deposito

TSTG

Da -55 a + 150

*2 Temperatura di saldatura

TSOL

260

*1. Test CA, 1 minuto, umidità = 40~60% Metodo di test di isolamento come di seguito:

    1. Cortocircuitare entrambi i terminali del fotoaccoppiatore.

    2. Corrente durante il test della tensione di isolamento.

    3. Aggiunta della tensione dell'onda sinusoidale durante il test

*2. il tempo di saldatura è di 10 secondi.

Caratteristiche optoelettroniche

Parametro

Simbolo

Min

Tip.*

Massimo

Unità

Condizione

Ingresso

Tensione diretta

VF

---

1.2

1,5

V

SE=10 mA

Corrente inversa

IR

---

---

10

µA

VR=6 V

Capacità del collettore

Cin

---

50

---

pF

V=0, f=1MHz

Uscita

Corrente oscura base collettore

ICBO

---

---

20

nA

VCB=10 V

Dal collettore all'emettitore Corrente

ICEO

---

---

100

nA

VCE=10 V, IF=0 mA

Tensione di attenuazione collettore-emettitore

BVCEO

55

---

---

V

CI=1 mA

Tensione di rottura collettore-base

BVCBO

55

---

---

V

CI=0,1 mA

Tensione di attenuazione emettitore-collettore

BVECO

7

---

---

V

IE=0,1 mA

Caratteristiche di trasformazione

Rapporto di trasferimento corrente

4N32,4N33

CTR

500

---

---

%

SE=10 mA VCE=10 V

4N29,4N30

100

---

---

4N31

50

---

---

TIL113

300

---

---

SE=10mAVCE=1V

Tensione di saturazione del collettore e dell'emettitore

4N29, 4N30, 4N32,4N33

VCE(sabato)

---

---

1.0

V

SE=8 mA IC=2 mA

4N31,TIL113

---

---

1.2

SE=8 mA, CI=2 mA

Resistenza di isolamento

Riso

1011

---

---

Ω

CC 500 V 40~60% UR.

Capacità ingresso-uscita

CIO

---

0,8

---

pF

VIO=0, f=1MHz

Tempo di risposta

tri

---

3

10

µs

VCC=10 V, IC=10 mARL=100 Ω

Tempo di discesa

tf

---

6

10

µs

  • Rapporto di conversione corrente = IC/IF × 100%

 

Informazioni sull'ordine

Numero parte

OR-4NXXY-Z-W

o OR-TIL113Y-Z-W

Nota

4NXX = Codice articolo (4N29,4N30 ,4N31,4N32 o 4N33)

TIL113= Numero parte

Y = Opzione modulo lead (S, M o Nessuno)

Z = Opzione nastro e bobina (TA,TA1 o nessuna).

W= codice "V" per la sicurezza VDE (questa opzione non è necessaria).

*È possibile scegliere il codice VDE.

Opzione

Descrizione

Quantità imballo

Nessuno

DIP-6 standard

66 unità per tubo

M

Piegatura larga (spaziatura di 0,4 pollici)

66 unità per tubo

S(TA)

Modulo cavo per montaggio superficiale (basso profilo) + opzione nastro TA e bobina

1000 unità per bobina

S(TA1)

Modulo cavo per montaggio superficiale (profilo basso) + opzione nastro e bobina TA1

1000 unità per bobina

 

Chip GaAIAs/GaAs 940 IrED

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