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Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H7-EN-V13
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H7-4-EN-V3
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H4-EN-V12
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo OR-3H4-4-EN-V3
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo ORPC-817-S-(SJ)
Accoppiatore ottico fototransistor di grado consumo ORPC-817-S-(SJ)-EN-V0Le serie di dispositivi TIL113 e 4NXX sono costituite ciascuna da un diodo emettitore di infrarossi accoppiato otticamente a un rilevatore Darlington. Sono confezionati in un pacchetto DIP a 6 pin e disponibili con spaziatura ampia dei conduttori e opzione SMD.
Caratteristiche
(1) 4NXX serie: 4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33 6558} TIL113 serie : TIL113.
(2) Alta tensione di isolamento tra ingresso e uscita (Viso=5000 V rms)
(3) Distanza di dispersione >7,62 mm
(4) Temperatura di funzionamento fino a fino a +115°C
(5) Pacchetto compatto doppio in linea
(6) Approvazione di sicurezza
Approvato UL (n. E323844)
Approvato VDE(n.40029733)
Approvato CQC (No.CQC19001231480 )
(7) In conformità con RoHS, standard REACH .
(8) MSL Classe Ⅰ
Istruzioni
I dispositivi della serie TIL113, 4NXX sono costituiti ciascuno da un diodo emettitore di infrarossi accoppiato otticamente a un rilevatore Darlington. Sono confezionati in un pacchetto DIP a 6 pin e disponibile con spaziatura ampia e opzione SMD.
Intervallo di applicazione
Circuiti logici a basso consumo
Apparecchiature per telecomunicazioni
Elettronica portatile
Interfacciamento di sistemi di accoppiamento di diversi potenziali e impedenze
Valore nominale assoluto massimo (temperatura normale=25℃)
|
Parametro |
Simbolo |
Valore nominale |
Unità |
|
|
Ingresso |
Corrente diretta |
SE |
60 |
mA |
|
Temperatura di giunzione |
TJ |
125 |
℃ |
|
|
Tensione inversa |
VR |
6 |
V |
|
|
Dissipazione di potenza (TA = 25°C) Fattore di declassamento (sopra 100°C) |
DP |
120 |
mW |
|
|
3,8 |
mW/°C |
|||
|
Uscita |
Tensione collettore-emettitore |
VCEO |
80 |
V |
|
Tensione collettore-base |
VCBO |
80 |
||
|
Tensione emettitore-collettore |
VECO |
7 |
||
|
Tensione emettitore-base |
VEBO |
7 |
||
|
Dissipazione di potenza (TA = 25°C) Fattore di declassamento (sopra 100°C) |
PC |
150 |
mW |
|
|
6,5 |
mW/°C |
|||
|
Potenza totale consumata |
Ptot |
200 |
mW |
|
|
*1 Tensione di isolamento |
Viso |
5000 |
Vrm |
|
|
Temperatura di lavoro |
Superiore |
Da -55 a + 115 |
℃ |
|
|
Temperatura del deposito |
TSTG |
Da -55 a + 150 |
||
|
*2 Temperatura di saldatura |
TSOL |
260 |
||
*1. Test CA, 1 minuto, umidità = 40~60% Metodo di test di isolamento come di seguito:
Cortocircuitare entrambi i terminali del fotoaccoppiatore.
Corrente durante il test della tensione di isolamento.
Aggiunta della tensione dell'onda sinusoidale durante il test
*2. il tempo di saldatura è di 10 secondi.
Caratteristiche optoelettroniche
|
Parametro |
Simbolo |
Min |
Tip.* |
Massimo |
Unità |
Condizione |
||
|
Ingresso |
Tensione diretta |
VF |
--- |
1.2 |
1,5 |
V |
SE=10 mA |
|
|
Corrente inversa |
IR |
--- |
--- |
10 |
µA |
VR=6 V |
||
|
Capacità del collettore |
Cin |
--- |
50 |
--- |
pF |
V=0, f=1MHz |
||
|
Uscita |
Corrente oscura base collettore |
ICBO |
--- |
--- |
20 |
nA |
VCB=10 V |
|
|
Dal collettore all'emettitore Corrente |
ICEO |
--- |
--- |
100 |
nA |
VCE=10 V, IF=0 mA |
||
|
Tensione di attenuazione collettore-emettitore |
BVCEO |
55 |
--- |
--- |
V |
CI=1 mA |
||
|
Tensione di rottura collettore-base |
BVCBO |
55 |
--- |
--- |
V |
CI=0,1 mA |
||
|
Tensione di attenuazione emettitore-collettore |
BVECO |
7 |
--- |
--- |
V |
IE=0,1 mA |
||
|
Caratteristiche di trasformazione |
Rapporto di trasferimento corrente |
4N32,4N33 |
CTR |
500 |
--- |
--- |
% |
SE=10 mA VCE=10 V |
|
4N29,4N30 |
100 |
--- |
--- |
|||||
|
4N31 |
50 |
--- |
--- |
|||||
|
TIL113 |
300 |
--- |
--- |
SE=10mAVCE=1V |
||||
|
Tensione di saturazione del collettore e dell'emettitore |
4N29, 4N30, 4N32,4N33 |
VCE(sabato) |
--- |
--- |
1.0 |
V |
SE=8 mA IC=2 mA |
|
|
4N31,TIL113 |
--- |
--- |
1.2 |
SE=8 mA, CI=2 mA |
||||
|
Resistenza di isolamento |
Riso |
1011 |
--- |
--- |
Ω |
CC 500 V 40~60% UR. |
||
|
Capacità ingresso-uscita |
CIO |
--- |
0,8 |
--- |
pF |
VIO=0, f=1MHz |
||
|
Tempo di risposta |
tri |
--- |
3 |
10 |
µs |
VCC=10 V, IC=10 mARL=100 Ω |
||
|
Tempo di discesa |
tf |
--- |
6 |
10 |
µs |
|||
Rapporto di conversione corrente = IC/IF × 100%
Informazioni sull'ordine
Numero parte
OR-4NXXY-Z-W
o OR-TIL113Y-Z-W
Nota
4NXX = Codice articolo (4N29,4N30 ,4N31,4N32 o 4N33)
TIL113= Numero parte
Y = Opzione modulo lead (S, M o Nessuno)
Z = Opzione nastro e bobina (TA,TA1 o nessuna).
W= codice "V" per la sicurezza VDE (questa opzione non è necessaria).
*È possibile scegliere il codice VDE.
|
Opzione |
Descrizione |
Quantità imballo |
|
Nessuno |
DIP-6 standard |
66 unità per tubo |
|
M |
Piegatura larga (spaziatura di 0,4 pollici) |
66 unità per tubo |
|
S(TA) |
Modulo cavo per montaggio superficiale (basso profilo) + opzione nastro TA e bobina |
1000 unità per bobina |
|
S(TA1) |
Modulo cavo per montaggio superficiale (profilo basso) + opzione nastro e bobina TA1 |
1000 unità per bobina |